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2012年20大熱門技術(shù)：3D IC、塑料電子逐個數(shù)
2011-12-08 17:19
來源：
OFweek醫(yī)療科技網(wǎng)
9. 下一代非易失性存儲器
IBM相變存儲芯片的讀寫速度比閃存快100倍，寫入循環(huán)壽命也高達1000多萬次。
MRAM、相變存儲器和RRAM都具有各自的特性和局限。
10. 處理器
微處理器是集成電路領(lǐng)域的一大突破。不過，處理器的發(fā)展也正面臨著危機。從多核到眾核的發(fā)展，只是簡單的增加處理單元是不夠的。其發(fā)展還包括編程語言和環(huán)境，如OpenCL，以及ARM的 “big-little”處理技術(shù)的推廣。
現(xiàn)在，英特爾與ARM的低功耗之戰(zhàn)已經(jīng)取代了英特爾與AMD持續(xù)了20年之久的性能戰(zhàn)。
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