8．5 麥捷科技

麥捷科技是國(guó)內(nèi)被動(dòng)器件龍頭廠商， 積極布局Saw濾波器。公司在電子元器件產(chǎn)業(yè)深耕多年，是我國(guó)片式電感、片式LTCC射頻元器件、濾波器等細(xì)分行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)。公司具有領(lǐng)先的技術(shù)創(chuàng)新和工藝創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，截至2019年，公司已獲授權(quán)的專利共158項(xiàng)，且公司“高世代聲表面材料與濾波器產(chǎn)業(yè)化技術(shù)”項(xiàng)目獲得了2018年國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)。公司早期參與射頻濾波器產(chǎn)業(yè)，客戶包括國(guó)際知名手機(jī)品牌廠商，如華為、小米、中興等，多次被授予“優(yōu)秀供應(yīng)商”和“商業(yè)合作伙伴”等榮譽(yù)稱號(hào)。

麥捷科技在2016年底募集了8．5億元左右的募集資金，用于發(fā)展“基于LTCC基板的終端射頻聲表濾波器（Saw）封裝工藝開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)項(xiàng)目”和“MPIM 小尺寸系列電感生產(chǎn)項(xiàng)目”。在5G換機(jī)潮下，公司一方面推動(dòng)Saw濾波器量產(chǎn)出貨，另一方面正在努力推進(jìn)面向5G的LTCC、TC－Saw和Fbar濾波器的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，并計(jì)劃于2020年推向市場(chǎng)。公司對(duì)疊層電感小型化和高頻化的創(chuàng)新也進(jìn)行了戰(zhàn)略布局，并開(kāi)發(fā)了整合濾波器、PA以及電感器等射頻前端期間的PAMiD模塊。

目前公司 Saw濾波器已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，且于 2018 年開(kāi)始貢獻(xiàn)利潤(rùn)，未來(lái)隨著設(shè)備的到位和技術(shù)的進(jìn)步，產(chǎn)能將進(jìn)一步擴(kuò)張，當(dāng)前公司具備5000萬(wàn)只／月的Saw 濾波器產(chǎn)能，2020年有望擴(kuò)張至1億只／月。

我們看好公司在射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈濾波器封裝環(huán)節(jié)卡位和未來(lái)Saw濾波器的國(guó)產(chǎn)替代。在5G快速發(fā)展帶動(dòng)射頻器件需求上升和巨大國(guó)產(chǎn)替代空間的背景下，Saw濾波器產(chǎn)品將有望給公司帶來(lái)很好的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

8．6 華天科技

華天科技為國(guó)產(chǎn)封測(cè)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，不斷提升產(chǎn)能。華天科技成立于2003年，是半導(dǎo)體封測(cè)龍頭企業(yè)，為客戶提供封裝設(shè)計(jì)、物流配送、引線框封裝、封裝仿真、晶圓級(jí)封裝、基板封裝、晶圓測(cè)試及功能測(cè)試等一站式服務(wù)。華天科技不斷擴(kuò)展版圖，于2018年收購(gòu)Unisem，并投資80億元在南京建設(shè)封測(cè)基地。為布局車(chē)用晶圓級(jí)先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，華天科技再次投資20億元于舟山建設(shè)生產(chǎn)線。2019年，華天科技在西安新增投入約8億元設(shè)備以緩解封裝產(chǎn)品產(chǎn)能緊張的局勢(shì)。2019年，公司共完成集成電路封裝量331．88億只，同比上升24．19％，晶圓級(jí)集成電路封裝量85．15萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)50．98％。公司是國(guó)內(nèi)少有的封測(cè)技術(shù)龍頭，2019年度共獲得發(fā)明專利17項(xiàng)，公司客戶包括國(guó)際知名濾波器廠商Skyworks以及Sony等，且在2019年繼續(xù)發(fā)揮銷(xiāo)售龍頭作用，本年新開(kāi)發(fā)客戶146家，臺(tái)灣地區(qū)前十大IC企業(yè)已有8家公司成為華天科技的客戶。

華天科技領(lǐng)先行業(yè)的核心技術(shù)為扇出型封裝技術(shù)，其扇出技術(shù)被稱為eSiFO。在eSiFO技術(shù)中，需要先把晶圓蝕刻出一個(gè)縫隙，然后利用抓�。�放置系統(tǒng)將裸片放置在這一縫隙中，最后密封。

華天科技今年?duì)I業(yè)收入及銷(xiāo)售毛利率、凈利率均穩(wěn)步增長(zhǎng)。盈利能力的增長(zhǎng)與其產(chǎn)能擴(kuò)充息息相關(guān)。從2015年開(kāi)始，華天科技就耗資近20億元，分別在天水、西安以及昆山進(jìn)行投資布局，擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。華天科技收購(gòu)的馬來(lái)西亞封測(cè)企業(yè)Unisem也將為其帶來(lái)產(chǎn)能增長(zhǎng)。

8．7 通富微電

通富微電為國(guó)產(chǎn)封測(cè)企業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，先進(jìn)技術(shù)驅(qū)動(dòng)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。通富微電子股份有限公司成立于1997年10月，專業(yè)從事集成電路封裝測(cè)試，是中國(guó)前三大集成電路封測(cè)企業(yè)之一。2017年，公司在全球封測(cè)企業(yè)中排名第6位。公司在國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)中技術(shù)領(lǐng)先，率先實(shí)現(xiàn)12英寸28納米手機(jī)處理器芯片后工序全制程大規(guī)模生產(chǎn)，包括Bumping、FC、CP、SLT、FT等，截至2019年12約，公司累計(jì)申請(qǐng)專利875件。公司同樣擁有Bumping、FC、WLCSP、SiP、BGA等先進(jìn)封測(cè)技術(shù)、傳統(tǒng)封測(cè)技術(shù)以及汽車(chē)電子產(chǎn)品、MEMS等封測(cè)技術(shù)，目前公司現(xiàn)金封測(cè)技術(shù)已全部實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。公司的產(chǎn)品和技術(shù)能夠廣泛地應(yīng)用于存儲(chǔ)器、高端處理器芯片（CPU 、GPU）、物聯(lián)網(wǎng)、信息終端、功率模塊、汽車(chē)電子等各個(gè)領(lǐng)域，這使得公司能夠成為國(guó)產(chǎn)CPU、GPU等產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化替代之一。

通富微電擁有位于江蘇南通崇川的總部工廠、南通通富、合肥通富、TF－AMD蘇州、馬來(lái)西亞檳城以及在建的廈門(mén)通富六大生產(chǎn)基地。公司先后在南通、合肥、廈門(mén)多地布局，以新建或參股的方式建成工廠，并收購(gòu)了AMD蘇州及AMD檳城各85％的股權(quán)。公司生產(chǎn)基地多點(diǎn)開(kāi)花，產(chǎn)能成倍擴(kuò)大，對(duì)于先進(jìn)封裝方面的規(guī)模優(yōu)勢(shì)提升巨大。

通富微電于2019年積極拓展AMD 7納米封測(cè)服務(wù)，帶來(lái)蘇州、檳城生產(chǎn)基地訂單的大幅增長(zhǎng)。因而2019年，公司實(shí)現(xiàn)82．67億元總收入，同比增長(zhǎng)14．45％。

在全球半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷低谷后，隨著5G進(jìn)步，終端應(yīng)用以及封裝測(cè)試市場(chǎng)需求旺盛。受到政策福利和技術(shù)進(jìn)步的影響，通富微電在封測(cè)領(lǐng)域的訂單規(guī)模將持續(xù)提升，也將繼續(xù)拓展生產(chǎn)線。2020年，通富微電將啟動(dòng)新一輪40億元的擴(kuò)產(chǎn)募資項(xiàng)目，于南通蘇通工廠布局面向5G的高端封裝市場(chǎng)。

9、風(fēng)險(xiǎn)提示

（1）全球經(jīng)濟(jì)下滑甚至衰退的風(fēng)險(xiǎn)；（2）疫情控制不當(dāng)導(dǎo)致手機(jī)銷(xiāo)售量不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；（3）5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)

附錄

· 橋本研也——Saw濾波器學(xué)術(shù)泰斗

橋本研也，日本千葉大學(xué)教授，IEEEFellow，日本學(xué)術(shù)振興會(huì)弾性波元件技術(shù)第150委員會(huì)委員長(zhǎng)。橋本教授分別于1978年3月和1980年3月獲得日本千葉大學(xué)學(xué)士和碩士學(xué)位，1989年5月獲得東京理工大學(xué)博士學(xué)位；1980年4月至1989年3月在日本千葉大學(xué)任助教，1989年4月至2005年3月在日本千葉大學(xué)任副教授，2005年4月至今在日本千葉大學(xué)任教授。橋本教授長(zhǎng)期從事射頻聲表面波器件研究，取得了一系列杰出成果。

橋本研也于1956年3月2日出生于日本福島。他分別于1978年和1980年在日本千葉大學(xué)取得電子工程的理學(xué)學(xué)士和理學(xué)碩士學(xué)位，并于1989年畢業(yè)于日本東京工業(yè)大學(xué)。他于1980年加入千葉大學(xué)，任副教授，現(xiàn)為教授。2013到2015年間，他擔(dān)任千葉大學(xué)前沿科學(xué)中心主任。1998年，任芬蘭赫爾辛基理工大學(xué)客座教授。在1998／1999年的冬天，他是法國(guó)CNRS的實(shí)驗(yàn)室的訪問(wèn)科學(xué)家。1999年和2001年，他是奧地利林茨的約翰內(nèi)斯開(kāi)普勒大學(xué)的客座教授。2005／2006年，中國(guó)科學(xué)院聲學(xué)研究所客座科學(xué)家。2009－2012年，他在中國(guó)成都電子科技大學(xué)擔(dān)任客座教授。自2015年以來(lái)，他一直是上海交通大學(xué)的客座教授。

2001年，他擔(dān)任IEEE Transactions on MTT特刊《無(wú)線通訊用微波聲波裝置》的客座編輯，并擔(dān)任2002年及2015年IEEE國(guó)際超聲波研討會(huì)的宣傳聯(lián)席主席。他被任命為IEEE MTT協(xié)會(huì)演講局的成員。從2005年到2006年，他還擔(dān)任國(guó)際著名協(xié)會(huì)IEEE UFFC的講師。2007年到2009年以及從2014年到2016年，他擔(dān)任IEEE UFFC協(xié)會(huì)管理委員會(huì)（ADCOM）的成員。從2007年到2009年，他擔(dān)任IEEE ED學(xué)會(huì)講師。2011年，他擔(dān)任IEEE ED學(xué)會(huì)合作主席。2018年，他也擔(dān)任了IEEE國(guó)際超聲學(xué)座談會(huì)的合作主席。2015年，他獲得了新技術(shù)發(fā)展基金會(huì)頒發(fā)的“市村工業(yè)獎(jiǎng)”，以表彰他為射頻表面聲波設(shè)備開(kāi)發(fā)的最佳基片42－LT。作為IEC TC49／WG10的核心研發(fā)專家，他研究了長(zhǎng)達(dá)7年時(shí)間。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，他對(duì)壓電鋸齒和Baw濾波器的三個(gè)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的制定做出了重要貢獻(xiàn)。2018年，他的“高性能射頻Saw設(shè)備研究”獲得了文部科學(xué)大臣對(duì)科學(xué)技術(shù)的表彰。在2019年，他出色的研究、服務(wù)、責(zé)任感和領(lǐng)導(dǎo)力獲得IEEE 2019 UFFC杰出服務(wù)獎(jiǎng)，他還在UFFC－學(xué)會(huì)擔(dān)任多個(gè)職務(wù)，包括兩屆IEEE國(guó)際超聲學(xué)研討會(huì)的主席、國(guó)際知名講師、AdCom會(huì)員等。

他目前的研究興趣包括各種高性能表面和體聲波器件的仿真和設(shè)計(jì)、聲波傳感器和執(zhí)行器、壓電材料和射頻電路及系統(tǒng)設(shè)計(jì)。橋本博士是IEEE的會(huì)員，同時(shí)也是日本電子、信息和通信工程師學(xué)會(huì)、日本電氣工程師學(xué)會(huì)和日本聲學(xué)學(xué)會(huì)的成員。

橋本研也研究了廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信設(shè)備的頻率范圍內(nèi)的高性能聲波器件。作為一名Saw濾波器設(shè)備的專家，他的各種研究項(xiàng)目正在與世界各地的院校和行業(yè)進(jìn)行強(qiáng)有力的合作。

· 射頻濾波器的基礎(chǔ)材料

鉭酸鋰（LiTaO3，簡(jiǎn)稱 LT）和鈮酸鋰（LiNbO3，簡(jiǎn)稱 LN）晶體是十分重要的多功能晶體材料，可以作為壓電晶片材料，具有優(yōu)異的熱電、壓電、光電等性能，廣泛用于制造Saw濾波器和Baw濾波器。鈮酸鋰晶體是一種多功能晶體，能夠?qū)崿F(xiàn)非臨界相位匹配，具有良好的非線性光學(xué)性質(zhì)，其非線性光學(xué)系數(shù)較大。鈮酸鋰晶體作為壓電晶體，可以應(yīng)用于制作中低頻Saw 濾波器，大功率耐高溫的超聲換能器等。它也是一種電光晶體，也是重要的光波導(dǎo)材料。

鉭酸鋰晶體也是一種具有很高應(yīng)用價(jià)值的多功能材料。LiTaO3晶體居里點(diǎn)高于 600℃，化學(xué)性能穩(wěn)定高（不溶與水），不易出現(xiàn)退極化現(xiàn)象，探測(cè)率優(yōu)值高，介電損耗低，是熱釋電紅外探測(cè)器應(yīng)用材料的最佳選擇。過(guò)拋光的 LT 晶片具有良好的機(jī)電耦合、溫度系數(shù)等綜合性能，被廣泛用于濾波器、諧振器、換能器等電子通訊器件的制造，也可以用于制造高頻聲表面波器件，并應(yīng)用在對(duì)講機(jī)、手機(jī)、航空航天、衛(wèi)星通訊等許多高端通訊領(lǐng)域。

近幾年，LT和LN襯底材料的市場(chǎng)需求量以每年 50％的速度在增長(zhǎng)，而目前的供應(yīng)商基本都集中在日本等國(guó)外。

生產(chǎn)規(guī)模較大的企業(yè)包括住友金屬礦山，且住友進(jìn)行了大舉擴(kuò)產(chǎn)，公司 2014 年 12 月 18 日宣布將增產(chǎn)使用于智能手機(jī)Saw濾波器芯片的 LT／LN 基板。但LT／LN基板需求持續(xù)擴(kuò)大，Saw濾波器廠商仍紛份提出要該公司進(jìn)行增產(chǎn)的要求。當(dāng)時(shí)住友金屬礦山計(jì)劃投下約 40 億日元，除將進(jìn)一步擴(kuò)增旗下子公司“住礦國(guó)富電子”的 LT／LN 基板產(chǎn)能之外，也將在上述新設(shè)LT／LN 基板生產(chǎn)設(shè)備，將LT／LN 基板月產(chǎn)能規(guī)劃中的 21 萬(wàn)片擴(kuò)增至 30 萬(wàn)片的規(guī)模。增產(chǎn)工程于2015 年 4 月動(dòng)工、并在 2016年10月完工。

臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)LT／LN基板的廠商有兆遠(yuǎn)。國(guó)內(nèi)從事鉭酸鋰和鈮酸鋰的公司有中電 26 所、天通股份等。

· Saw濾波器主要工藝過(guò)程

制造Saw濾波器首先要選擇的是使用哪種基材。對(duì)于基材，首先要對(duì)晶體進(jìn)行取向和切割。傳播方向確保了聲波表面的傳播完全限制在垂直于晶片平面的表面上。同時(shí)，可以通過(guò)使用金屬或通過(guò)蝕刻到晶片中來(lái)實(shí)現(xiàn)用于形成IDT和鏡面結(jié)構(gòu)。接下來(lái)，利用鋁金屬化工藝進(jìn)行鋁沉積。與其他金屬相比，鋁相對(duì)容易蝕刻，價(jià)格便宜，并且加工工具校準(zhǔn)得很好。在CVC蒸發(fā)器中可以完成鋁蒸發(fā)工藝，該工具將襯底抽真空至約0．4Torr的高真空水平，并使用了鎢籃。為了準(zhǔn)確預(yù)測(cè)金屬厚度對(duì)器件操作的影響，金屬的目標(biāo)厚度應(yīng)小于IDT間距的1％。因此，鋁層的目標(biāo)厚度為1500。鋁沉積在晶片的背面，以便為后續(xù)處理期間積累的任何電荷提供接地路徑，而濺射技術(shù)等其他沉積技術(shù)傾向于將襯底加熱到高溫，這可能會(huì)使晶片破碎。在鋁沉積之后，需要光刻步驟以掩蔽晶片以進(jìn)行蝕刻。這一步首先要將光刻膠進(jìn)行熱處理，隨后利用CEE旋涂機(jī)進(jìn)行旋涂。為了使晶片曝光以產(chǎn)生期望的圖案，將掩模對(duì)準(zhǔn)晶片是至關(guān)重要的，因此必須對(duì)晶片平面進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。隨后，對(duì)晶片進(jìn)行曝光和顯影。下一步是將晶片浸入鋁濕法蝕刻溶液中。每個(gè)IDT都有很多指對(duì)，一處短路會(huì)導(dǎo)致設(shè)備工作不正常。因此，確保蝕刻完成至關(guān)重要。隨后將晶片進(jìn)行去離子中水級(jí)聯(lián)沖洗5分鐘。檢查確認(rèn)從晶片上去除了光刻膠后，便可以測(cè)試設(shè)備。

（1）原理

Saw濾波器的基本結(jié)構(gòu)包括具有壓電特性的基片材料拋光面以及兩個(gè)聲電換能器——叉指換能器（IDT）。Saw濾波器的制備通常采用半導(dǎo)體集成電路的平面工藝，在壓電基片表面蒸鍍一定厚度的鋁膜，再利用光刻方法把設(shè)計(jì)兩個(gè)IDT的掩膜圖案沉積在基片表面，分別用作輸入換能器和輸出換能器。由此，輸入換能器將電信號(hào)變成聲信號(hào)，沿晶體表面?zhèn)鞑ィ�輸出換能器再將接收到的聲信號(hào)變成電信號(hào)輸出。

Saw濾波器的工藝和主流技術(shù)方面有很高的要求，濾波器生產(chǎn)中的主流工藝流程包括清洗、鍍膜、光刻、腐蝕和封裝工藝等。目前日本企業(yè)，如富士通、三洋電器等少數(shù)幾家掌握壓電基片生產(chǎn)技術(shù)的制造商壟斷了Saw濾波器市場(chǎng)。Saw濾波器微型化、高可靠、低成本和集成化是大勢(shì)所趨，跨越工藝技術(shù)門(mén)檻是中國(guó)企業(yè)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代化的關(guān)鍵所在。

（2）壓電基板材料

壓電（piezoelectricityor piezoelectric effect）一詞來(lái)源于希臘語(yǔ)piezein，表示施加壓力，這種效應(yīng)在1880年由兩位法國(guó)物理學(xué)家Pierre和Paul－Jacques Curie發(fā)現(xiàn)。壓電效應(yīng)是指，某些晶體受到外部壓力時(shí)會(huì)產(chǎn)生電壓，而如果某些晶體兩面存在電壓，晶體形狀會(huì)輕微變形。普通晶體的原子或分子在三維空間內(nèi)排列得很有規(guī)律，而且隔一段距離重復(fù)著基本組成單元。大部分晶體的基本組成單元原子排列是對(duì)稱的，不管有沒(méi)有外部壓力，基本單元里的凈電偶極子始終是零。而壓電晶體則相反，原子排列是不對(duì)稱的。

壓電晶體原子排列雖然不對(duì)稱，但正電荷會(huì)和附近負(fù)電荷相互抵消，所以整體的晶體不帶電。當(dāng)晶體受到壓力時(shí)外形會(huì)變化，一些原子間距離會(huì)變化，打亂了原來(lái)保持的平衡，出現(xiàn)凈電荷，晶體表面出現(xiàn)正電荷或負(fù)電荷。這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。相反地，晶體兩端加電壓時(shí)原子受到電壓影響，為了保持電荷的平衡，原子來(lái)回震動(dòng)使壓電晶體形狀輕微變形。這種現(xiàn)象稱為反壓電效應(yīng)（reverse－piezoelectric effect）。

Saw濾波器應(yīng)用的壓電襯底是各向異性的晶體結(jié)構(gòu)，其中襯底內(nèi)部的每個(gè)單個(gè)晶體都具有自己的極性。在多晶材料中，各個(gè)微晶的不同極性可能會(huì)相互抵消，但是通過(guò)應(yīng)用鐵電極化過(guò)程，即在將材料暴露于強(qiáng)電場(chǎng)的同時(shí)加熱材料，可以使材料的單個(gè)極性對(duì)齊，并且材料整體將顯示壓電效應(yīng)，就像其單個(gè)微晶一樣。

Saw 濾波器常用的壓電材料包括LiTaO3、SiO2、LiNbO3等。在輸入IDT交叉排列的電極之間，交流電壓經(jīng)過(guò)壓電材料產(chǎn)生壓力，并以表面聲波的形式沿著表面?zhèn)鞑�，而在垂直方向上Saw幅度快速衰落。右邊的IDT接收表面聲波，輸出電信號(hào)。中間部分的屏障可影響輸入端和輸出端之間的耦合。Saw濾波器也可以呈現(xiàn)串并聯(lián)組合。

雖然所有的Saw傳感器都需要壓電晶體材料，不同傳感器的應(yīng)用場(chǎng)景需要不同的壓電晶體材料。如果該設(shè)備對(duì)溫度要求高，則需要具有高溫度系數(shù)的材料來(lái)增加對(duì)溫度變化的敏感性。一般用于手機(jī)終端中的Saw濾波器希望使用具有低溫度系數(shù)的材料，以最大程度地減少由于溫度變化引起的不良影響�；�板的溫度系數(shù)不僅取決于所使用的材料，還取決于材料的晶體取向或切割。切割和材料也會(huì)影響機(jī)械形式和電磁形式之間能量轉(zhuǎn)換效率的基板耦合系數(shù)。

Saw 濾波器的性能通常隨著溫度升高變差。如今室內(nèi)濾波器所承受的平均溫度為 25 攝氏度，而各種終端設(shè)備中的濾波器所承受的平均溫度可達(dá) 60 攝氏度或更高，鯊魚(yú)鰭或車(chē)頂中嵌入的濾波器所承受的溫度甚至更高。濾波器的溫度越高，就越難過(guò)濾掉特定頻率，信號(hào)因而就越有可能“漂移”至相鄰頻段。5G時(shí)代，新分配的很多頻段與現(xiàn)有頻段十分接近，管理溫度漂移便顯得尤為重要。TC（temperaturecompensated）－Saw濾波器能夠有效改善溫度性能，它在IDT上增加了保護(hù)涂層。普通的Saw濾波器頻率溫度系數(shù)大約在－45ppm／oC左右，而TC－Saw大約－15到－25ppm／oC。增加涂層的工藝比較復(fù)雜，成本也有所增加。

TC－Saw濾波器廣泛應(yīng)用在手機(jī)終端中。三星的美國(guó)版Galaxy S7集成了Murata公司生產(chǎn)的RF前端模組FAJ15，該模組主要針對(duì)LTE低頻段，由幾顆濾波器芯片組裝在陶瓷基底上。其組裝的Saw濾波器包括STD－Saw（標(biāo)準(zhǔn)Saw）和TC－Saw（熱補(bǔ)償Saw）兩種。TC－Saw技術(shù)主要應(yīng)用在Band8 LTE雙工器上，因?yàn)槠漕l段要求非常低的熱漂移。

從形態(tài)上劃分，Saw濾波器也有較多種類(lèi)，包括空氣橋狀、指狀組合型等。

（3）叉指換能器材料

用于IDT的金屬的選擇也趨于特定于應(yīng)用，盡管通常需要低電阻，因?yàn)檫@通常會(huì)使轉(zhuǎn)導(dǎo)過(guò)程更有效。金屬與金屬的粘合強(qiáng)度以及金屬的沸點(diǎn)（決定可用沉積工藝的類(lèi)型）也是重要的因素，而成本也是如此。下表比較了常見(jiàn)IDT材料的這些特性：