最新消息，臺積電已向其在中國大陸的所有 AI 及 GPU 客戶發(fā)送了正式通知，宣布自 11 月 11 日，也就是下周起，暫停供應(yīng)所有 7納米（nm）及更先進工藝的芯片。

消息稱，臺積電會對晶體管數(shù)量大于 300 億晶體管的芯片進行限制；同時，也會對 7nm 以下先進工藝、與 AI、HBM 和 CoWOS 封裝相關(guān)的芯片進行限制。新規(guī)定甚至對芯片的 Die 面積做了嚴(yán)格指引。

臺積電停供，主要受中美競爭和 “白手套” 事件影響。

從某種程度上說，這次全面封鎖先進制程的決策，是對中國快速發(fā)展的 AI 產(chǎn)業(yè)一次精準(zhǔn)打擊，或?qū)е鹿��?yīng)鏈重組和成本增加。

特朗普曾在 2024 年 6 月 25 日接受采訪時表示，美國的全部芯片業(yè)務(wù)被臺灣 “搶奪”，且沒有得到任何好處，臺灣應(yīng)當(dāng)向美國支付“防務(wù)費用”。 臺積電的股價也在隨后的 7 月 17 日應(yīng)聲跌超 2%。

如今特朗普勝選，臺積電這一決策似乎顯示了其下定決心投誠，并與美國商務(wù)部共同制定了一套嚴(yán)苛的審查制度，全面封鎖中國大陸的先進制程產(chǎn)能。

7nm 技術(shù)節(jié)點是半導(dǎo)體制造中的一個重要里程碑，標(biāo)志著晶體管尺寸越來越接近物理學(xué)的極限。

截至目前，不同廠商在實現(xiàn) 7nm 工藝時采用的技術(shù)路線存在顯著差異，特別是臺積電、三星和英特爾的 FinFET 器件結(jié)構(gòu)與英特爾的 DUV 光刻技術(shù)之間的比較。

臺積電的 7nm 工藝分為第一代 7nm 工藝（N7）、第二代 7nm 工藝（N7P）和7nm EUV（N7+）。其中，N7 和 N7P 使用的是 DUV 光刻技術(shù)，而 N7+ 則采用了 4 層 EUV 光刻技術(shù)。臺積電的 7nm 工藝通過多重曝光技術(shù)和浸沒式光刻技術(shù)來實現(xiàn) 7nm 節(jié)點。

三星的 7nm 工藝采用了更為先進的 EUV 光刻技術(shù)。三星在多個疊層中采用了 EUV 光刻技術(shù)，并且在初期階段僅用于選擇層。三星的 7nm EUV 工藝被認(rèn)為在性能和功耗方面更具優(yōu)勢。

英特爾的 FinFET 器件結(jié)構(gòu)與臺積電和三星的工藝有所不同。英特爾的 FinFET 技術(shù)在 7nm 節(jié)點上仍然在使用，但其工藝路線與臺積電和三星的 EUV 或 DUV 光刻技術(shù)有所不同。

不過值得慶幸的是，7nm 芯片國產(chǎn)化進程已取得顯著進展。

華為 Mate 60 Pro 搭載的麒麟 9000S 處理器是一顆 7nm 工藝芯片，產(chǎn)地標(biāo)注為中國大陸。此外，中芯國際也在努力推進國產(chǎn)化進程，其第二代 FinFET N+1 制程實質(zhì)是 7nm 制程的低功耗低成本版本。（本文信源：多家官媒/網(wǎng)媒）